杏彩体育平台app·根本半导体推出高功能碳化硅肖特基二极管（SiC JBS）

时间：2021-09-20 22:51:13 来源：杏彩体育官网app 作者：杏彩体育官网登录入口

　　)功率器材的呈现大大提升了半导体器材的功能，对电力电子职业的开展具有重要意义。作为最早完成产业化的自主研制的650 -1700V 3D SiC™系列碳化硅肖特基二极管(SiC JBS)已炽热上市，凭仗其优胜功能广受商场追捧。

　　作为单极型器材，SiC JBS在作业过程中没有少量载流子贮存，其反向康复电流首要取决于耗尽层结电容，反向康复电荷以及反向康复损耗比Si超快康复二极管要低一到两个数量级。更重要的是，与之匹配的开关管的注册损耗也可以得到大幅度削减，可进步运用电路的开关频率。在常温下，其正态导通压降和Si超快康复器材根本相同，但SiC JBS的导通电阻具有正温度系数，使得SiC JBS合适并联运用。在变频或逆变设备顶用SiC JBS替换 Si 快康复二极管，可显着进步体系作业频率和整机功率。

　　SiC JBS功能优势是大电流密度、高作业结温，其结构开展方向为：衬底减薄、运用Trench JBS结构和MPS(Merged PiN Schottky)结构。衬底减薄技能可以有效地减小低压SiC JBS的导通电阻，增强器材浪涌电流才干，减小器材热阻，有利于器材在更高电流密度下作业。MPS结构有利于进步器材的浪涌电流才干。

　　在SiC JBS器材制程工艺中，p阱离子注入SiC晶格的深度受离子注入设备才干约束(1um)，反偏条件下浅p-n结对肖特基结的屏蔽效果不是特别显着，只要在相邻p阱之间的距离较小时才干突显出来，但一起带来的正导游通沟道宽度变窄效应使得正导游通压降显着添加。为了处理这一问题，新一代SiC JBS的开展方向是Trench JBS结构或嵌入式JBS结构。

　　根本半导体致力于开发3D结构的嵌入式SiC JBS二极管，与传统的SiC JBS二极管比较，嵌入式JBS二极管正反向特性都得到了改进。嵌入式JBS二极管消除了离子注入P阱对肖特基触摸面积的影响，有利于增大电流密度，一起有利于进步阻断电压和雪崩才干。根本半导体高功能SiC JBS可广泛运用于开关电源、UPS、马达驱动、PFC等范畴。