杏彩体育平台app·常用半导体器材pdf

时间：2021-09-19 11:05:33 来源：杏彩体育官网app 作者：杏彩体育官网登录入口

　　常用半导体器材 首要内容： §1-1．半导体基础知识 §1-2．半导体二极管 §1-3．双极型晶体管 §1-4．场效应管 §1-1．半导体基础知识 一、本征半导体 纯洁的、具有晶体结构的半导体称为本征半导体。 1.半导体 导电才能介于导体和绝缘体之间的物质称为半导体。 大大都半导体器材所用的首要资料是硅（Si）和锗（Ge）。 2.结构 原子结构 §1-1．半导体基础知识 晶体结构 原子 规矩 摆放 构成 共价键 §1-1．半导体基础知识 3.本征激起和两种载流子 1）本征激起 共价键 T=0K 无载流子 捆绑价电子 部分价电子 自由电子 光、热效果 脱节共价键{ 取得满足能量 空位—称空穴 本征激起：指半导体在加热或光照效果下，发生电子— 空穴对的现象。 §1-1．半导体基础知识 2）载流子 电场效果 自由电子 定向运动 构成电子电流 电场效果 空穴 添补空穴的价电子作定向运动 构成空穴电流 两种载流子：带负电荷的自由电子 电场 电子电流 极性相反 电流方向同 带正电荷的空穴 空穴电流 运动方向相反 §1-1．半导体基础知识 4.本征半导体中载流子的浓度 复合：运动中的电子从头被共价键捆绑起来，电子空穴对消失。 本征激起 T必定 n =p =K T3/2e-EGO/(2kT) 复合 动态平衡 i i 1 本征半导体特色：1）导电才能弱 2）热不稳定性 热敏元件、光敏元件 §1-1．半导体基础知识 二、杂质半导体 在本征半导体中掺入微量的杂质元素，成为杂质半导体。 1.N型半导体 在本征半导体中掺入 少量五价元素原子，称为 电子半导体或N型半导体。 大都载流子：电子 少量载流子：空穴 n

　　p §1-1．半导体基础知识 2.P型半导体 在本征半导体中掺入 少量三价元素原子，称为 空穴半导体或P型半导体。 大都载流子：空穴 少量载流子：电子 p

　　n §1-1．半导体基础知识 三、PN结 将P型半导体与N型半导体制造在同一块硅片 上，在它们的交界面就构成PN结。 1. PN结的构成 漂移运动： 载流子在电场效果下的定向运动。 分散运动： 因为浓度差引起的非平衡载流子的运动。 §1-1．半导体基础知识 多子分散 方向相反 构成空间电荷区 动态平衡 树立内电场 I = 0 少子漂移 j §1-1．半导体基础知识 2. PN结的单向导电性 1）PN结外加正向 电压时 处于导通状况 外电场与内电场 的方向相反，空间电 荷区变窄，内电场被 削弱，多子分散得到 加强，少子漂移将被 削弱，分散电流大大 超越漂移电流，最终 构成较大的正向电 流。 §1-1．半导体基础知识 2）PN结外加反向 电压时 处于截止状况 外电场与内电场方向共同，空间电 荷区变宽内电场增强，不利于多子 的分散，有利于少子的漂移。在电 路中构成了根据少子漂移的反向电 流。因为少子数量很少，因而反向 电流很小。 定论：ＰＮ结具有单向导电 性， 即正偏导通，反偏截止。 §1-1．半导体基础知识 3. PN结的电流方程 qu i Is(ekT 1) 令: u =kT/q 称温度电压当量 T u i Is(e UT 1) T=300K时， uT=26mV §1-1．半导体基础知识 4. PN结的伏安特性 u